search:半導體材料特性相關網頁資料

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        常見的品質問題包括晶格的位錯(dislocation)、孿晶面(twins)或是堆垛層錯(stacking fault)都會影響半導體材料的特性。對於一個半導體元件而言,材料晶格的缺陷通常是影響元件性能的主因。 目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱為裘可 ...
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    日期:2024-04-21
    薄膜電晶體的特性來自於良好的氧化物半導體材料特性,因此氧化物半導體薄膜為薄膜電晶體應用的基礎。氧化物板半導體膜具有透明導電與足夠高的電子遷移率,在大氣中的穩定性也較有機半導體為佳,配合可印製氧化物導電材料,全印製型的薄膜電晶體 ......
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    日期:2024-04-24
    1947 年發明電晶體以後,半導體材料作為一個獨立的材料領域得到了很大的發展,並成為電子工業和高技術領域中不可缺少的材料。特性和參數半導體材料的導電性對某些微量雜質極敏感。純度很高的半導體材料稱為本征半導體,常溫下其電阻率很高 ......
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    日期:2024-04-20
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    日期:2024-04-26
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    日期:2024-04-20
    常見的品質問題包括晶格的錯位(dislocation)、雙晶面(twins),或是堆棧錯誤(stacking fault)都會影響半導體材料的特性。對於一個半導體元件而言,材料晶格的缺陷通常是影響元件性能的主因。目前用來成長高純度單晶半導體材料最常見的方法稱爲裘可 ......
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    日期:2024-04-25
    ... 有所謂的導體和絕緣體;而介於兩者之間,導電性比金屬導體小很多,卻比絕緣體來得好的物質,就叫做『半導體』或『半金屬』。一般而言,矽(Si)是最常用的半導體材料,在矽中摻入微量的砷(As)、磷(P)或硼(B),就能改變矽的導電特性 ......
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    日期:2024-04-23
    半導體材料的特性參數有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導體的電子態、原子組態決定,反映組成這種材料的原子中價電子從束縛狀態激發到自由狀態所需的能量。...
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    日期:2024-04-24
    第一堂: 半導體材料基本技術(上) 第二堂: 半導體材料基本技術(中) 第三堂: 半導體材料基本技術(下) 第四堂: 半導體基本原理(上) 第五堂: 半導體基本原理(下) 第六堂: 薄膜沉積(上) 第七堂: 薄膜沉積(下)...