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日期:2025-05-27
標準電壓下的空乏型場效應管。從左到右依次依次為:接面場效電晶體,多晶矽金屬—氧化物—半導體場效應管,雙閘極金屬—氧化物—半導體場效應管,金屬閘極金屬—氧化物—半導體場效應管,金屬半導體場效應管。...
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日期:2025-05-23
電晶體_場效電晶體 一、單選題 ( 題 每題 分 共 分) ( ) 1. 有一個N通道JFET,若IDSS=9mA,VGS(off)=VP=-3V,則其轉換特性曲線公式為 (A)ID=0.009(1-)A (B)ID=0.009(VGS-3)2A (C)ID=0.009(1+)3A (D)ID=0.009(1+)2A。( ) 2....
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日期:2025-05-27
p 덱륄JFET ꑵ 귬뉺 n덱륄곛 ꅁ 걏덱륄걏 p 뻉엩 ꅁ뻉 덱껉녡 륱 륱걽 랽랥롧덱륄걹ꑊ 랥ꅁ륱걹 ꅁ랽랥륱 뚷룻 랥 결낪ꅃ놱 륨랥걏 n+뻉엩 ꅁ굮녎덱륄 륨랥 뚷 ꑗ 냷...
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日期:2025-05-22
20090406~20090408資訊二甲電子學II「第8章:場效電晶體之特性。8-3金氧半場效電晶體(MOSFET)特性。8-4場效電晶體應用」。 ... 本教材部分圖文取材自旗立資訊電子學II,書號15156,謹此誌謝。 學習單下載:20090406_e_ch08_dash_3_to_ch08_dash_4 ......
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日期:2025-05-27
Sheet3 Sheet2 Sheet1 (一)分接;(二)分接頭 等時[降落]曲線 泰勒-庫埃特流 遠心光闌 遠心系統 電信方程[式] 遠震 (地科) TEM (=transmission electron microscope) (一)回火度;(二)含碳量 (一)韌性;(二)韌度...
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日期:2025-05-24
電性量測,Electrical Measurement,故障分析,失效分析,Failure Analysis,FA,Fault Isolation,Root cause identification,電性故障分析,Electrical Failure Analysis,EFA, I-V, I-V Measurement ,Emission Microscope ,EMMI,InGaAs Camera,InGaAs Detector ,InGaAs,Optical ......
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日期:2025-05-23
致冷晶片的原理是什麼 熱電致冷晶片(Thermoelectric Cooling Module)及溫差發電晶片(Thermoelectric Power generating Module)的理論基礎早在19世紀初即被科學家發現。西元1821年(約180年前)德國科學家Thomas Johann Seebeck (1770-1831)發佈塞貝克效應 ......
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日期:2025-05-24
希子者,站長也,亦為Seize(理解)之諧音,「理解知識」之意。http://songwriter.tw/blog ... I do trust all of the concepts you have introduced on your post. They’re very convincing and can certainly work. Still, the posts are too brief for novices....