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        場效電晶體(field effect transistor,FET)的構想較雙極性電晶體(BJT)更早被提出來。1920年,李連菲德設計了一個如右圖所示結構的裝置。圖中半導體(Cu2S)與其左右兩旁的金屬電極A及B,形成一個電阻器,當半導體上方的鋁電極C與電極A或B之間有電壓存在時,將 ...
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        Lab12. 場效電晶體之特性 電子電路實驗 * 一、實驗目的 了解場效電晶體的正確偏壓方式及動作原理,並能繪出 之特性曲線。 二、原理說明 場效電晶體(FET)分為兩大類,即接面場效電晶體(JFET)及金氧半場效電晶體(MOSFET),其成員可利用下面樹狀結構 ...
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    日期:2024-04-22
    場效電晶體(field effect transistor,FET)的構想較雙極性電晶體(BJT)更早被提出來。1920年,李連菲德設計了一個如右圖所示結構的裝置。圖中半導體(Cu2S)與其左右兩旁的金屬電極A及B,形成一個電阻器,當半導體上方的鋁電極C與電極A或B之間有電壓存在時,將 ......
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    日期:2024-04-29
    Lab12. 場效電晶體之特性 電子電路實驗 * 一、實驗目的 了解場效電晶體的正確偏壓方式及動作原理,並能繪出 之特性曲線。 二、原理說明 場效電晶體(FET)分為兩大類,即接面場效電晶體(JFET)及金氧半場效電晶體(MOSFET),其成員可利用下面樹狀結構 ......