search:感應耦合電漿原子發射光譜相關網頁資料

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日期:2024-04-23
將樣品溶液噴入感應耦合電漿的核心中,電漿溫度高達8000°C,在這樣的高溫下, 所有的分析物種都會被原子化、離子化和熱激發,然後它們可以被OES或MS偵測和 ......
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日期:2024-04-23
一、方法概要(一)本方法為利用感應耦合電漿原子發射光譜儀(Inductively Coup led Plasma Atomic ......
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日期:2024-04-23
感應耦合電漿原子發射光譜分析儀INDUCTIVELY COUPLED PLASMA - ATOMIC EMISSION, (ICP-AES)....
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日期:2024-04-26
感應耦合電漿原子發射光譜法(Optical emission spectral analysis with inductively coupled ......
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日期:2024-04-30
使用感應耦合電漿原子發射光譜儀進行樣品分析時,其分析結果常會受到許多干擾因素的影響,而導致誤差 ......
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日期:2024-04-27
1、 方法概要. 本方法利用連續式或同時式感應耦合電漿原子發射光譜儀,搭配側向( Radial/Side-on)或軸 ......
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日期:2024-04-25
3. 10A 電漿源之發射光譜. ▫▫ ICP: ▫ Fig. 10-1 典型之感應耦合電漿,called a torch. ▫ 三個同心圓石英管....
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日期:2024-04-23
使用感應耦合電漿原子發射光譜儀進行樣品分析時,其分析結果常會受到許多干擾因素的影響,而導致誤差 ......