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        晶圓是最常用的半導體材料,按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規格,近來 ... 晶圓越大,同一圓片上可生產的IC就越多,可降低成本;但對材料技術和生產技術的要求更高。一般認為矽晶圓的直徑越大,代表著這座晶圓廠有更好的技術,在生產晶 ...
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        碳化矽/SiC 除了Al2O3基板外,目前用於氮化鎵生長的基板就是SiC,它在市場上的佔有率位居第二,它有許多突出的優點,如化學穩定性好、導電性能好、導熱性能好、不吸收可見光等,但不足方面也很突出,如價格太高、晶體質量難以達到Al2O3和Si ...
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    日期:2024-04-20
    聚二甲基矽氧烷 (Poly(Dimethylsiloxane) 台北市立第一女子高級中學二年級周君穎/台北市立第一女子高級中學化學科詹莉芬老師修改/國立台灣師範大學化學系葉名倉教授責任編輯 簡介 聚二甲基矽氧烷即poly(dimethylsiloxane),簡寫為PDMS,密度為965 kg/m 3 ......
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    日期:2024-04-24
    於1978年被提出來做為CMOS製作技術的材料以來,絕緣層覆矽(SOI) 提供了操作快速、低功率消耗、減少軟錯誤、閉鎖抑制(latch-up immunity)、製程簡化以及尺寸微小化改善等潛力優勢。雖然早先是將SOI材料著眼於小規模的利基(niche)市場上,然而成為主流應用的 ......
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    日期:2024-04-20
    絕 緣 材 料 加熱器之特色 0.002” 的Kapton需有0.001”FEP的黏膠 0.008” 玻璃補強的sili-cone rubber Teflon 0.1mm~1mm 厚度的雲母片 0.005” 的Polyester帶有0.001”的絕膠 概 述 呈透 明、琥珀顏色的Polyi-miele薄膜...
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    日期:2024-04-21
    SiC(碳化矽)是目前地球上第三硬的化合物。新莫氏硬度為13,僅低於鑽石(新莫氏硬度15)及碳化硼(新莫氏 ......
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    日期:2024-04-26
    2011年3月31日 - 半導體和太陽能電池的原料都是矽晶圓,LED則不是,那為什麼今天會提到呢?原來LED的關鍵材料-藍寶石基板和矽晶圓製造的技術是類似. ... 西門子式製程是最古早的製程,是用來製造半導體級多晶矽的,目前有75%左右的公司 ......
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    日期:2024-04-25
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    日期:2024-04-20
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    日期:2024-04-23
    晶圓越大,同一圓片上可生產的IC就越多,可降低成本;但對材料技術和生產技術的要求更高,例如均勻度等等的問題。一般認為矽晶圓的直徑越大,代表著這座晶圓廠 ......