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負載效應蝕刻的相關商品
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日期:2025-05-07
Ricardo Fuentes, MATECH, Poughkeepsie, New York, United States 儘管乾蝕刻製程在部分的製程中已取得重要的地位,在半導體元件製程以及許多其他相關的技術中,例如微機電系統及光伏元件製造,濕蝕刻仍然是一個主要的技術。濕蝕刻製程常用於半導體的 ......
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日期:2025-05-03
17 蝕刻均勻性 ‧蝕刻均勻性是測量製程的重複性,包括晶圓 內(Within-wafer ,WIW) 及晶圓間(Wafer-to-wafer, WTW)的均勻性 • 測量晶圓上特定點在蝕刻製程前後的厚度 • 測量位置點愈多,準確度愈高 • 通常採用標準偏差(Standard deviation, σ)...
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日期:2025-05-01
積體電路業界正面臨CMOS架構的選擇:是採用平面式FDSOI以維續進化式的尺寸縮放方向,或推出稱為 鰭式場效電晶體(FinFET)或三閘(TriGate)三維立體電晶體。任一個選擇都伴隨著各自的挑戰。本篇文獻將討論 ......
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日期:2025-05-07
實際上,填充因子深受串聯電阻RS與並聯電阻Rsh的影響,因此我們可以只用填充因子來同時概括串聯電阻與並聯電阻二個效應,因為任何的串聯電阻的增加或是並聯電阻的減少,都會減少填充因子,進而造成轉換效率的降低。...
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日期:2025-05-05
Sheet1 lap coil winding 疊繞組,疊繞法 lap connection 疊[式連]接 lap connection winding 疊接繞組 lap dissolve 疊溶 lap joint 搭接 lap seam weld 搭線焊 lap taping 疊繞,疊包(線圈的) lap valve 活葉門,瓣門,舌閥 lap weld...
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日期:2025-05-07
高聚光型太陽能發電系統係由高倍數之聚光透鏡,將來自太陽的平行光聚焦於III-V族太陽能電池上,因此能夠有效率的利用太陽能電池。 但是隨著聚焦倍數增加,HCPV發電系統便需要一套高精度和高穩定性之追日系統,以維持HCPV發電系統的最佳功率。...
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日期:2025-04-30
這種方案不僅有助於減小閘極-洩極疊加電容C GD,還能增大漂移區阻抗。此外,它也有利於降低導通阻抗與閘極電荷,因為現在可以一方面通過薄閘極氧化層來獲得更低的V th 與導通阻抗,同時還可以在溝槽底部採用加厚氧化層以獲得最低的C GD。...
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日期:2025-04-30
軟體工程聯盟/ 軟體專案管理. 6 / 54. 軟體開發程序模式的影響. 提供軟體工程師對於專案中有關技術與實. 作部份的一系列活動的流程指導。 提供一個管理軟體開發及 ......