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![Chapter 9 蝕刻]()
www.isu.edu.tw負載效應:巨觀. • 具較大開口面積的晶圓和具較小開口面. 積的晶圓，其晶圓對晶圓的蝕刻速率是. 不同的. • 主要影響批量蝕刻製程. • 對單晶圓製程影響不大 ...瀏覽：1274 -
![蝕刻技術]()
www.me.tnu.edu.tw蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。 蝕刻技術可以 ..... 面積越小，此現象越嚴重，亦即所謂的微負載效應(Micro loading Effect)。除此之外，如何 ...瀏覽：1465
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微負載效應的相關公司資訊
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日期：2025-04-29
Title: 在奈米科技上準確地模擬 微負載效應下連線電容 Other Titles: Accurate Interconnect Capacitance Modeling ......
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日期：2025-05-04
使得蝕刻速率降低。面積越小，此現象越嚴重，亦即所謂的 微負載效應(Micro loading Effect) ......
瀏覽：947
日期：2025-05-01
2-4-4 負載 效應 .16 2-5 結論 16 第三章 複晶矽閘極蝕刻 22 3-1 前言 .………………...22 3-2 蝕刻氣體的選擇 23 3-3 Fluorin Carbon ......
![微電子材料與製程【第五章 半導體蝕刻技術】 - Process Integration[工藝整合] - 半導體技術天地 - 工程師的家園 ...](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_46.jpeg)
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日期：2025-05-04
5-1 簡介在積體電路製造過程中，常需要在晶圓上定義出極細微尺寸的圖案(Pattern)，這些圖案主要的形成方式，乃是藉由蝕刻(Etching)技術，將微影(Micro-lithography)後 ... ......
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日期：2025-05-04
微負載效應 (Microloading Effect) 。 關鍵詞：半導體製程，蝕刻製程，二氧化矽，硬式遮蔽層。學位論文題目: 利用二氧化矽做為硬式遮蔽層對80 奈米蝕刻製程的影響 III ......
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日期：2025-05-02
... 的蝕刻速率又大於接觸窗的蝕刻速率， 區域的蝕刻速率又大於接觸窗的蝕刻速率， 亦 即 微負載效應 ......
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日期：2025-05-06
然而，加入虛設電介質柱，65%的銅會保留在這些墊中。在溝槽中的最終銅厚度因 微負載效應 ......
瀏覽：1140
日期：2025-05-06
... (導體、 半導體、絕緣體)蝕刻的介紹、 微負載效應及電漿導致損壞等。 5-1-1 蝕刻技術中的術語 5-1-1a 等向性與非等向性蝕刻( Isotropic ......
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