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  半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 完全空乏型元件時代 - Semicondutor Magazine
  
  積體電路業界正面臨CMOS架構的選擇：是採用平面式FDSOI以維續進化式的尺寸縮放方向，或推出稱為鰭式場效電晶體(FinFET)或三閘(TriGate)三維立體電晶體。任一個選擇都伴隨著各自的挑戰。本篇文獻將討論 ...
  
  2024-05-27
  
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  RomeoFan Blog: 金屬氧化半導體場效電晶體 - yam天空部落
  
  MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）金屬氧化半導體場效電晶體... ... * 兩個n+ 分別作為該元件的源極(Source)和汲極(Drain)，分別引出源極(Source)和汲極(Drain) * 夾在n+(n-)區間的P區隔著一層SiO 2 的介質作為閘極(Gate)
  
  2024-05-21
  
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四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性的描述 ...

日期：2024-05-26

依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,. BJT）和場效電晶體（field effect transistor, FET）。 BJT. 利用兩個很接近的pn接面，電訊號控制 ......

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ULSI Process & BEOL Development - 國立嘉義大學應用物理學系

日期：2024-05-24

1 Reference Solid State Technology Semiconductor International 電子月刊電子資訊 J. of Applied Physics J. of the ......

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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 奈米科技在電子產品製造的潛在機會 - Semicondutor Magazine

日期：2024-05-26

10pt 3>奈米科技(nanotechnology)給予電子產品業界甚多的機會，一篇短文不足以盡述此篇文章標題的內涵。不過，隨著廣泛的介紹性討論以及幾個範例，將有助於對最新的奈米電子研究成果，建立基本概念性的了解。大多數的範例取自大學在潛在性「超越金氧 ......

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互補式金屬氧化物半導體- 维基百科，自由的百科全书

日期：2024-05-26

互補式金屬氧化物半導體具有只有在電晶體需要切換啟閉時才需耗能的優點， ... 所謂的「金屬-氧化層-半導體」事實上是反映早期場效電晶體的閘極（gate ..... 取自“http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=互補式金屬氧化物半導體&oldid=30662626”....

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