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  生活中的物理: 三極體（電晶體）Transistor
  
  為什麼要學習二極體、三極體（電晶體）等的基本元件？現在的科技日益進步，IC 已成為基本名詞。想要放大信號找個 OP放大器便可。電腦的 CPU 更是超級（數量與功能）的 IC ...
  
  2025-11-02
  
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  單電子電晶體的工作原理與應用
  
  單電子電晶體的工作原理與應用-4-圖(六):單電子電晶體的基本電路圖資料來源:胡淑芬()。奈米級金粒子型單電子電晶體研發現況。科學發展月刊第1期第29卷，p.29-36。檢索日期:2007/10/07。http://nr.stpi.org.tw/ejournal/NSCM/v29n1/Embag/29-36.pdf
  
  2025-11-08
  
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金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書

日期：2025-11-05

金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，縮寫： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ......

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金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科，自由的百科全书

日期：2025-11-02

金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect ..... 實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體 ......

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RomeoFan Blog: 金屬氧化半導體場效電晶體 - yam天空部落

日期：2025-11-07

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）金屬氧化半導體場效電晶體... ... * 兩個n+ 分別作為該元件的源極(Source)和汲極(Drain)，分別引出源極(Source)和汲極(Drain) * 夾在n+(n-)區間的P區隔著一層SiO 2 的介質作為閘極(Gate)...

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針對同步整流最佳化中壓功率MOSFET成效卓著 - 技術前瞻 - 新通訊元件雜誌

日期：2025-11-05

這種方案不僅有助於減小閘極-洩極疊加電容C GD，還能增大漂移區阻抗。此外，它也有利於降低導通阻抗與閘極電荷，因為現在可以一方面通過薄閘極氧化層來獲得更低的V th 與導通阻抗，同時還可以在溝槽底部採用加厚氧化層以獲得最低的C GD。...

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絕緣柵雙極晶體管- 维基百科，自由的百科全书

日期：2025-11-04

維基百科所有的內容都應該可供查證。 ... 絕緣閘雙極電晶體（英语：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半導體器件的一種，主要用於電動 ... IGBT結合了場效電晶體閘極易驅動的特性與雙極性電晶體耐高電流與低導通電壓壓降特性，IGBT通常 ......

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金屬氧化物半導體場效電晶體 - 维基百科

日期：2025-11-06

金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数 ......

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