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  金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書
  
  金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，縮寫： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...
  
  2025-05-21
  
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  單元:場效電晶體 - 學習加油站
  
  平時測驗場效電晶體 1. 下列那一種元件是單靠一種載子來傳送電流? (A)FET (B)雙極性電晶體 (C)二極體 (D)SCR。 2. N通道增強型MOSFET欲使之導通，則閘極源極間電壓(V GS)應加何種偏壓? (A)0V (B)負電壓 (C)小於臨界電壓(VT)之正電壓 (D)大於臨界電壓(V T ...
  
  2025-05-23
  
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日期：2025-05-28

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22-4 場效電晶體

日期：2025-05-25

場效電晶體(field effect transistor，FET)的構想較雙極性電晶體(BJT)更早被提出來。1920年，李連菲德設計了一個如右圖所示結構的裝置。圖中半導體(Cu2S)與其左右兩旁的金屬電極A及B，形成一個電阻器，當半導體上方的鋁電極C與電極A或B之間有電壓存在時，將 ......

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斐成企業股份有限公司(電子零組件)-斐成企業(電子零組件)-1111商搜網

日期：2025-05-28

回首頁 » 商家名錄 » 斐成企業股份有限公司(電子零組件) » 回上一頁斐成企業股份有限公司(電子零組件 ... 本公司成立於民國82年，迄今已14年，設立初期為電子零組件專業整合型通路商主要代理日、美兩國高精密之先端電子零組件相關業務，近年則 ......

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富鼎先進電子股份有限公司 - 財經百科 - 財經知識庫 - MoneyDJ理財網

日期：2025-05-28

公司成立於中華民國八十七年七月十七日，目前主要產品： (1) 低壓金氧半功率場效電晶體(Low Voltage MOSFET)。 (2) 高壓金氧半功率場效電晶體(High Voltage MOSFET)。 (3) 絕緣閘雙載子功率場效電晶體(IGBT)。 (4) 脈衝控制IC(PWM IC)及線性穩...

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富鼎先進電子股份有限公司 - 財經百科 - 財經知識庫 - MoneyDJ理財網

日期：2025-05-23

... 低壓金氧半功率場效電晶體(Low Voltage MOSFET) 。 (2) 高壓金氧半功率場效電晶體(High Voltage MOSFET)。 (3) 絕緣閘雙載子功率場效電晶體(IGBT)。 (4) 脈衝控制IC(PWM IC)及線性穩壓IC (Linear Regulator ......

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5988理財網

日期：2025-05-21

... 低壓金氧半功率場效電晶體 (Low Voltage MOSFET) 。 (2) 高壓金氧半功率場效電晶體 (High Voltage MOSFET)。 (3) 絕緣閘雙載子功率場效電晶體 (IGBT)。 (4) 脈衝控制 IC(PWM IC) 及線性穩壓 IC (Linear Regulator)。公司 ......

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