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日期:2024-05-04
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日期:2024-05-07
金屬氧化物 半導體場效電晶體 金屬氧化物半導體場效電晶體,簡稱金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可 以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體(field-effect ......
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日期:2024-05-04
接面 場效應 電晶體的工作 原理(以N-JFET 為例): 高級中學物理(下冊) 第八章 電子學 8-4 : 場效電晶體 P15 3. 接面 場效應 電晶體的輸出特性曲線 ......
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日期:2024-05-07
臨界電壓(續) 使用平帶電壓定義,我們也可以將臨界電壓表示 成 對於一個給定的半導體材料、氧化層材料和閘極 材料而言,臨界電壓是半導體摻雜、氧化層電荷 Q’ ss 和氧化層厚度的函數。 Chapter 10 金氧半場效電晶體的基礎 26...
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日期:2024-05-05
應用電子學實驗講義(I) - 1 - 實驗九 金氧半場效電晶體的特性 實驗目的 1. 瞭解NMOS 與PMOS 之直流操作特性,並比較他們的異同。 2. 測試操作特性的溫度效應。 實驗儀器 ZVP4424A、ZVN4424A 各一枚; 2SK1828、2SJ343 各一枚;...
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日期:2024-05-05
20090406~20090408資訊二甲電子學II「第8章:場效電晶體之特性。8-3金氧半場效電晶體(MOSFET)特性。8-4場效電晶體應用」。 ... 本教材部分圖文取材自旗立資訊電子學II,書號15156,謹此誌謝。 學習單下載:20090406_e_ch08_dash_3_to_ch08_dash_4 ......
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日期:2024-05-04
---Donald A. Neamen---Microelectro nics Circuit Analysis and Design 4/157 MOSFET金氧半場效電晶體(1/44) 金屬-氧化物-半導體(MOS) 結構 7MOSFET之核心:金屬-氧化物-半導體電容 z金屬:鋁或其他金屬,很多是用高導的多晶矽 z氧化層:厚度tox,介電常數εox...
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日期:2024-05-04
馬來西亞晶圓代工廠矽佳(SilTerra)和總部設在香港的南海半導體公司(South Sea Semiconductor)宣布完成共同開發的( V-Tr FET) 溝槽式高效率,低導通電阻 (Rdson)的 ......