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  金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書
  
  金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，縮寫： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...
  
  2024-05-05
  
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  場效電晶體簡介
  
  場效電晶體簡介. 一般場效電晶體(field effect transistor，簡稱FET)和雙極電晶體一樣都有三. 隻接腳，不過工作原理卻完全不同。FET 的控制接腳稱為閘極(gate，簡稱G ...
  
  2024-05-05
  
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金屬-氧化物-半導體場效電晶體

日期：2024-05-04

Page 1. Chapter 10 金氧半場效電晶體的基. 礎. 投影片版權屬滄海書局，請勿任意複製!! Page 2. 10.1 兩端點MOS結構. 2. Chapter 10 金氧半場效電晶體的基礎 ......

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金屬氧化物半導體場效電晶體

日期：2024-05-07

金屬氧化物半導體場效電晶體，簡稱金氧半場效電晶體. （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可. 以廣泛使用在類比電路與數位電路 ......

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Field Effect Transistor 場效電晶體

日期：2024-05-07

無：JFET. 3. 是否有通道(channel). ○ 無：增強式(Enhancement) (E型). ○ 有：空乏式(Depletion) (D型). 電子：N型. 電洞：P型. (Metal oxide semiconductor (金氧半)) ......

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金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科，自由的百科全书

日期：2024-05-10

[编辑]. 金氧半場效電晶體在1960年由貝爾實驗室 ......

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金氧半導體 - 中華百科全書

日期：2024-05-06

金氧半導體是一種由金屬、氧化物和半導體三種材料組合而成的三層結構。底下一層半導體材料，一般為矽（Si）結晶片，稱為 ......

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四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性的描述 ...

日期：2024-05-11

依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,. BJT）和場效電晶體（field effect transistor, FET）。 BJT. 利用兩個很接近的pn接面，電訊號控制 ......

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奈米通訊。第七卷第二期 1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II)

日期：2024-05-11

奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II) 林鴻志家奈米元件實驗室研究員極電極(Gate Electrode) (一) 雙多晶(dual-poly)矽閘極目前先進的250和180奈米CMOS電路技術，多以雙多晶(dual-poly)閘極取代傳統的單多晶(single-poly)閘極方式，主要是為了PMOS元件短通道 ......

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