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Chapter 10 金氧半場效電晶體的基
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日期：2025-06-08
臨界電壓(續) 使用平帶電壓定義，我們也可以將臨界電壓表示 成 對於一個給定的半導體材料、氧化層材料和閘極 材料而言，臨界電壓是半導體摻雜、氧化層電荷 Q’ ss 和氧化層厚度的函數。 Chapter 10 金氧半場效電晶體的基礎 26...看更多
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