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日期:2025-11-17
4GNAND + 2G DDR的Memory,设计中接线:ADDR(0:13) IO(0:15) DATA(0:31) 怎么根据数据线和地址线以及IO线计算出4G NAND+2G DDR的?...
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日期:2025-11-13
... 数据率同步動態隨機存取記憶體( 英语: Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,簡稱 ......
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日期:2025-11-13
對於NAND而言都是8或者16根IO線,不包括SDIO介面的NAND,他的 容量是分為幾個BANK,1個BANK分為幾個PAGE來算的 DDR ......
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日期:2025-11-16
上一篇:關於 DDR的rank,bank 和大小計算的問題 下一篇:開關電源與線性電源的ripple表示是不一樣的 有 [ 2 ] ......
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日期:2025-11-16
DDR 這個名稱的由來,是因為它可以在一個時間週期 (clock cycle;一個週期是從進入點的前緣到出口點的尾端 ... ......
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日期:2025-11-14
• 記憶體模組 容量 : 同 DDR I, 最高可達 4GB(依Samsung 2003 Jan. news)。 DDR II 與 DDR I 比較 : • 改善頻寬 ......
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日期:2025-11-13
體顆粒的容量計算方式就是32Mbit x 8bit = 256Mbit,256Mbit就是單顆記憶體的 ... 記憶體就是經由金手指的接點與DIMM插槽接觸來傳遞訊號,一條DDR記憶體一共....
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日期:2025-11-14
2010年4月21日 - 由於技術、成本等原因,不可能只做一個全容量的L-Bank,而且最重要的是, ... 到了RDRAM則最多達到了32個,在最新DDR-Ⅱ的標準中,L-Bank的 ......









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