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日期:2025-12-17
LED 之種類及產業概況 GaAs1-xPx紅、黃、橙三色之LED皆以氣相結晶成長法(VPE)長成,以GaAs0.6P0.4紅光 LED而言,選擇GaAs 基板之晶格失配率為1.5%,黃光LED( x=0.85),以GaP為 ......
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日期:2025-12-18
8/8更新內容 在蒐集各位大大的意見後,絕大部分的人反應的為: 1.第一代...好紫阿,第二代..... ... 我覺得你的實驗蠻棒的。但我看到了一個現象,你照片中的水草追光虛長的情況還蠻明顯的。 以我所知的,水草要長的好,吸收的光線,除了波長 ......
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日期:2025-12-14
LED原理-發光二極體(Light Emitting Diode, LED)在1950年代末於實驗室發展 ...
未來會使用紫外光的LED(驗鈔燈)激發螢光粉來得到白光,其原理與日光燈以高壓
電極 ......
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日期:2025-12-19
LED是利用化合物材料製成pn結的光電器件。它具備pn結結型器件的電學特性:I-V特性、C-V特性和光學特性:光譜回應特性、發光光強指向特性、時間特性以及熱學特性。LED電學特性A. I-V特性 表徵LED晶片pn結製備性能主要參數。LED的I-V特性具有非線性、整流 ......
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日期:2025-12-15
LED 配合發黃光之釔鋁石榴石型(yttrium aluminum garnet;YAG)螢光粉亦可成. 為
一白光 ... (Osram)公司所擁有,用於避開日本日亞化學公司的YAG 螢光粉專利。...
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日期:2025-12-13
LED 是一個具有二極體的電子特性且會發光的半導體元件,雖然它具有整流二. 極體 的 ... 二、LED 發光原理....
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日期:2025-12-17
1.1 發光二極體發展歷史. 1.2 半導體概念. 1.3 直接和非直接能隙半導體. 1.4 pn 接面理論. 1.5 pn 接面能帶圖. 習題. 參考文獻. 第. 一. 章. 發光二極體發展歷史與半導體 ......
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日期:2025-12-16
‧使用 電流阻擋層(Current Block Layer; CBL) ‧使用氧化鎳/ 銦錫氧化物歐姆接觸 ‧在MQQW與p-GaN層之間多做一層p-AlGaN 使用銦錫氧化物(ITO) ......



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