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日期:2025-05-07
20090406~20090408資訊二甲電子學II「第8章:場效電晶體之特性。8-3金氧半場效電晶體(MOSFET)特性。8-4場效電晶體應用」。 ... 本教材部分圖文取材自旗立資訊電子學II,書號15156,謹此誌謝。 學習單下載:20090406_e_ch08_dash_3_to_ch08_dash_4 ......
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日期:2025-05-08
定義:若因施加至 電晶體的電壓、電流產生 功率損耗,因而造成元件發熱時,接合面(junction)溫度:Tj到達絕對最大額定值所規定的溫度(Tj = 150 C)時的 ......
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日期:2025-05-05
徹底瞭解!電晶體-MOSFET應用文件 ... I D-V GS 特性與溫度特性 圖1和2所示為I D-V GS 特性與閥值溫度特性之實測範例。 圖1和2所示為ID-VGS特性與閥值溫度特性之實測範例。...
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日期:2025-05-08
單元十四 場效電晶體特性與基本放大器 實習14-1:MOSFET輸出特性與阻抗 一. 相關原理 FET依其結構及動作原理可分為: 1.接面場效電晶體( Junction FET ,JFET )。2.金屬氧化物半導體場效電晶體或金氧半場效電晶體( Metal Oxygen Semiconductor FET ......
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日期:2025-05-04
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日期:2025-05-06
轉速感知單元 本例採用磁簧開關做為測量轉速的轉速感知單元,磁簧開關為一種遇磁短路的開關元件,一般使用於偵測房門是否被開起,達到防盜的功能,本例中利用此開關在距離磁鐵大約2~3公分即短路的特性做為計算轉速的感知器。...
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日期:2025-05-02
MOS元件原理及參數介紹 MOS製程可以分成以下三種:pMOS、nMOS和CMOS。 (一) pMOS在MOS製程技術中是最簡單,所以被應用的最早。其是利用電洞來導電,所以速度會變得較慢。 (二) nMOS則是利用電子來做傳導的工作,因為電子的漂移速度約為電洞的 ......