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日期:2025-05-15
MOSFET包含若幹個 寄生電容,主要從器件的物理結構產生。它們可以數學方式簡化為 MOSFET輸入 電容CISS,和 ......
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日期:2025-05-16
功率 MOSFET 基礎:瞭解 MOSFET 與 品質因數有關的特性 www.vishay.com Document Number: 71946 2 Revision: 08-Sep-03 ......
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日期:2025-05-13
在MOS管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個 寄生二極體。這個叫體二極體,在驅動感性負載(如馬達),這個二極體很重要。 ... ......
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日期:2025-05-19
第一, MOSFET具備一定的驅動能力,因為由於工藝原因, MOSFET的GS間存在是 寄生電容。對 電容充電(開啟 MOSFET ......
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日期:2025-05-16
一直以來的觀念都認為 MOSFET有極大的輸入阻抗,為何會因為Qg導致Ig達到數安培,有看過AN786 ... Power Driver (IGBT, Power MOS..) 等雖然都有 ......
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日期:2025-05-16
要理解這種設計的拓撲結構,必須瞭解 MOSFET和變壓器的 寄生特性。 MOSFET包含若干個 寄生電容 ......
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日期:2025-05-16
因為 MOSFET的柵-源極之間存在 寄生電容, MOSFET的開和關過程,是對 電容的充放電過程,如果 MOSFET ......
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日期:2025-05-20
時 Q 1 導通,截止 POWER MOSFET 時,Q 2 導 通,POWER MO SFET 的閘源極間存在一個 寄生電容,驅動 POWER ......