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![POWER MOSFET - 電力電子應用研究室]()
www.google.com.tw(a) POWER MOSFET構造 (b) POWER MOSFET符號 ... 寄生電容充電，使得閘極 電壓高於Vth(ON)，反之截止POWER MOSFET必須使得輸入寄生電容放電，因此RG ...瀏覽：1091 -
![第四章電路性能分析.ppt]()
www.google.com.tw電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容（接到輸出端的汲極區域）及其他寄生電容 ... 雖然MOS在不同工作模式，不同偏壓下，整個電容效應值就會有差異；然而閘極 ...瀏覽：429
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日期：2025-05-18
當Vi = VDD(高電位)時，FET導通且工作在triode mode，等效上像一顆電阻(RON)。
假如 ... 當Vi = 0V時，Qp導通且Qn不導通，VDD經由Qp向輸出端寄生電容C充電。...
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日期：2025-05-20
被動元件的部份主要是探討旁路電容佈局之連線效應，而設計之電路. 主要包括 ..... 3
-2 低雜訊放大器之重要參數與MOSFET 的雜訊. ..... 圖4.3.9 所有MOS 的寄生電容....
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日期：2025-05-20
详细介绍了沟槽MOSFET 结构的基本结构，进而确定了寄生. 元件，定义了相关术语
... BHFFOM(1)，它假设主要开关损耗与输入电容（Ciss）充/. 放电有关。第三种方法 ......
瀏覽：1275
日期：2025-05-20
多，MOSFET的開關延遲特性完全是因為寄生電容的充放電。 由於器件在開關 ...
MOSFET內部寄生的二極管使其在電感負載開關應用中，不需要增加. 額外的成本就
能 ......
瀏覽：1272
日期：2025-05-17
2013年6月27日 ... 技术可同时显著降低导通电阻和寄生电容，而其通常存. 在权衡取舍。由于寄生电容
较小，这些超级结MOSFET. 具有极快的开关特性，从而可以降低 ......
瀏覽：562
日期：2025-05-14
儘管特定應用MOSFET正快速興起，但其訴求高開關頻率須降低MOSFET的寄生
電容，此一做法的代價將犧牲導通電阻(Rds(on))。而低頻應用，則要求以降低Rds(on
) ......
瀏覽：688
日期：2025-05-15
MOSFET parasitic capacitances are unwanted capacitances existent between
the terminals of the transistor. These are derived from the structure and principle
......
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