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日期:2024-05-12
在通道中的水平電場是由vDS 所造成 在通道中的垂直電場是由vGS 所造成 兩電場間之間互為獨立不受影響 短通道效應 現今元件中通到長度大多在0.2 μm 範圍或更短 臨界電壓 ---VT 正比 L 反比 vDS...
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日期:2024-05-13
增強型MOSFET之物理結構與電路符號. (a) 物理 ... (a) 電子被吸引聚集在二氧化矽
層下(b) N通道的形成. 圖8-4 N通道增強 ......
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日期:2024-05-13
MOSFET。金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其「通道」的極性不同,可分為n ......
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日期:2024-05-15
試繪出NMOS的電路符號? 9. 試繪出PMOS的基本結構? 10. 試繪出PMOS的電路符號? 11. 試說明CMOS的優點? 12. 何謂本體效應? 13. 什麼是Latch-Up? 14. 如何減少Latch-Up?15. 臨界電壓與哪些因素有關? 16. MOSFET的結構由哪些物質層組成? 17. 畫出 ......
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日期:2024-05-14
... 基極的極性,而在PMOS的閘極端多加一個圓圈以示區別。 幾種常見的MOSFET
電路符號,加上接面場效電晶體一起比較: ......
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日期:2024-05-08
(G) p+. 金屬. (Metal). 氧化層(Oxide). 半導體(Semiconductor). 基板本體. (Body). 汲
極. (D). 通. 道. 結構. 電路符號. 源極. (S)....
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日期:2024-05-09
圖14-2 增強型MOSFET之電路符號. 3. 三極管區( Thiode Region ):VDS很小時. V
GS>0:故自由電子由S流到D( 電流iD ......