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![半導體製程技術]()
web.nuu.edu.tw半導體製程 技術 Introduction to Semiconductor Process Technology 許正興 國立聯合大學電機工程學系 Introduction to fabricated Integrated Circuits Semiconductor Material and Device ...瀏覽：1397 -
![博客來-半導體製程設備技術]()
www.books.com.tw半導體製程設備技術 ... 半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。瀏覽：1307
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日期：2025-05-01
半導體製程設備 技術 Semiconductor Technology-Process and Equipment 作 者 楊子明、鍾昌貴、沈志彥、李美儀、吳鴻佑、詹家瑋 出版社別 五南 出版日期 ......
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日期：2025-05-01
2. 目標. • 列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ......
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日期：2025-04-26
電漿輔助化學氣相沈積（PECVD）是CVD技術中的一種，其沈積原理與一般CVD並沒有太大差異。PECVD是使用電漿中化學活性較高的離子與自由基等高能物種來 ......
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日期：2025-04-27
．電漿熔融設備 ．高精度質量氣氛控制設備 ．氧化鋁奈米粉末設備 ．高真空硬焊爐 ．YAG 製程設備 ．活性碳生產設備 ．咖啡碳生產設備 ．高溫熱壓機 ．耐米碳管設備 ．隧道式連續燒結爐 ．各式箱型燒成爐...
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日期：2025-05-01
Applied Producer Celera PECVD (電漿輔助化學氣相沉積) 系統提供可調式壓縮及
伸張高應力氮化矽薄膜，可運用在45奈米 ......
![CVD 製程原理與應用 (捷胤工業).ppt [相容模式]](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_07.jpeg)
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日期：2025-04-27
CVD 原理 (a)反應物以擴散通過介面邊界層。(b)反應物吸附在晶片表面。(c)化學沉積反應發生。(d)部份生成物藉擴散通過介面邊界層。(e)部分生成物與未反應物進入主氣流裡，並離開系統。捷胤工業有限公司...
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日期：2025-04-27
3-1 蒸鍍(Evaporation)原理. 蒸鍍是 ..... PECVD的沈積原理與一般的CVD之間並沒有太大的差異。電漿中的 ......
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日期：2025-04-28
CVD 原理. ◇反應氣體從反應器的主氣流裏，藉著反應氣體在主氣流及晶片. 表面間的濃度差，以擴散的 .... ◇PECVD利用電漿來幫助化學沉積反應的進行，並降低反應. 發生所需的製程溫度，以 ......
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