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日期:2025-05-24
金屬氧化物半導體場效電晶體 (簡稱: 金氧半場效電晶體 ; 英語 : Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor , 縮寫 : MOSFET ),是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為 ......
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日期:2025-05-21
... 2/3 Vcc の (目標までの電位の 1/2 を閾値と する) 動作が違ってくるだろう。 ... 電源が 16V ではこれはTrON 時の3/4である。半周期が0.5μSとすると2.5%程度の変化であり、ほぼ保持される。Tr ON時には、その電位からの充電が270Ωを通してされる。...
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日期:2025-05-25
MOS元件原理及參數介紹 MOS製程可以分成以下三種:pMOS、nMOS和CMOS。 (一) pMOS在MOS製程技術中是最簡單,所以被應用的最早。其是利用電洞來導電,所以速度會變得較慢。 (二) nMOS則是利用電子來做傳導的工作,因為電子的漂移速度約為電洞的 ......
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日期:2025-05-18
P-channel MOSFET 引用: http://www.physics.udel.edu/~watson/scen103/mos5.html N-channel MOSFET 引用:http: ... 我們賺的不多但可以給的很多!(第參間) 跳到主文 這個部落格是我收集保存股市投資相關資訊~希望有幫助到各位,祝各位無往不利!...
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日期:2025-05-23
C-MOS FETの動作原理 C-MOS FETとはComplementary MOS FETの略です。シー・モス・エフ・イー・ティーと読みます。コンプリメンタリーとは「補完する」という意味で、PチャネルMOS FETとNチャネルMOS FETを組み合わせた回路です。...
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日期:2025-05-18
依工作原理可粗分為雙極(載體)接面電晶體(bipolar junction transistor,. BJT)和場
效電 ... 我們主要介紹的FET有接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor,....
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日期:2025-05-20
空乏型MOSFET在元件製造時即已產生實際的通道。 (a) NMOS ... 動作原理. * 空乏
型MOSFET有實際的通道,即使閘極電壓為零時,在通道就可產生電流。如圖(3a)所 ......
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日期:2025-05-18
動作原理. * 從增強型NMOS的結構來看,金屬閘極(G)、二氧化矽及p型基體(
substrate)相當於一個電容器。其中金屬閘極及p型基體相當於電容器的兩極,而二
氧化矽 ......