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[技術專文] 半導體濕式清洗製程臭氧水安全風險考量- 《半導體 ...
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日期：2025-06-23
隨著半導體製程技術演進，由以往0.18微米至現今90奈米線寬，晶圓表面之污染物控制更為嚴苛，於晶圓清洗後要求於其表面快速形成氧化層，目前以高濃度臭氧水溼 ......看更多
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