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先進CMOS電晶體之金屬閘極整合化CMP製程 - 半導體科技

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日期：2025-06-04
後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程，兩者對最終閘 極高度(gate height)與表面形 ......看更多

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