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利用有機金屬化學氣相沉積法磊晶成長高品質氮化鎵於矽基板
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日期:2024-05-08
論文名稱(英文), The Growth of High Quality GaN on Silicon by MOCVD ... 因此,
我們成功的使用有機金屬化學氣相沉積法成長高品質氮化鎵於矽基板上並製作出光
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