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增強型MOSFET
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日期：2025-06-03
空乏型MOSFET. 構造及電路符號. * 如圖(1)，空乏型NMOS的基體(substrate)為p型
半導體，源極和汲極端為n型半導體。空乏型MOSFET在元件製造時即已產生實際的
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