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奈米通訊。第六卷第三期 12.超薄氧化層天線效應(Antenna Effect)之偵測

奈米通訊。第六卷第三期 12.超薄氧化層天線效應(Antenna Effect)之偵測

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日期：2025-05-21
超薄氧化層天線效應(Antenna Effect)之偵測 林鴻志 國家奈米實驗室副研究員 摘要 當閘極氧化層(gate oxide)厚度小於4 nm後，傳統常用來偵測天線效應程度的電晶體參數，如臨界電壓(threshold voltage，Vth)、互導(transconductance，Gm)，及次臨界擺幅 ......看更多

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