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提升低電壓同步降壓轉換效能 堆疊式MOSFET成效卓著 - 技術前瞻 - 新通訊元件雜誌
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日期：2025-11-14
NexFET可達到類似於Trench技術的特定通導電阻，但是相關的寄生電容減少約50%。NexFET裝置採用橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)，並結合垂直電流達到高電流密度。仔細查看結構(圖1) ......看更多
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