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材料世界網:IGZO產品發展近況
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日期：2025-06-07
由銦、鎵、鋅組成的氧化物，一般簡寫為IGZO，是性能優越的氧化物半導體。如果以IGZO製成薄膜電晶體，與非晶矽TFT和低溫多晶矽TFT相比，IGZO TFT具有高ON遷移率(是a-Si:H的20~50倍)與高OFF電阻(是a-Si:H的100倍、LTPS的1000倍)兩大特點，應用在平面 ......看更多
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