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研究資訊 - 逢甲大學
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日期：2025-05-28
RRAM的操作原理則為兩端電極外加電壓，使金屬氧化物的電阻由原來的高電阻變 ... 因此本驗室將對ZnO薄膜做為電阻式記憶體RRAM的最佳製程開發及低功率、低 ......看更多
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