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竹懋科技股份有限公司 Chip Integration Technology Corporation.
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日期：2024-04-28
專利名稱 專利地區 專利編號 蕭特基二極體結構及其製造方法 R.O.C I226709 具有高崩潰電壓及低逆向漏電流的蕭特基二極體 R.O.C I234289 蕭特基二極體及其製造方法 R.O.C I237901 蕭特基阻障二極體及其製造方法 R.O.C I263344...看更多
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