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透過MOSFET 電壓電流最佳化控制傳導性及輻射性EMI - 電子工程專輯.
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日期：2025-06-01
2012年11月14日 - 經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源 ... 小電容來調整MOSFET 的di/dt 和dv/dt，去觀察它們如何對EMI 產生影響。...看更多
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