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日期:2025-05-27
Page 1. Chapter 10 金氧半場效電晶體的基. 礎. 投影片版權屬滄海書局,請勿任意複製!! Page 2. 10.1 兩端點MOS結構. 2. Chapter 10 金氧半場效電晶體的基礎 ......
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日期:2025-05-25
金氧半二極體、電晶體及其電性討論. Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件. MOSFET. 為一四端元件,。 由一個MOS二極體與兩個相鄰的pn接面所構成。 為積體 ......
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日期:2025-05-22
如果您想開啟這文件,請點按右列超連結冷凍空調原理I 緒論-空調/黃韋融(課程講義). (直接連結這個檔案). 您現在是使用訪客身分登入(登入). hhf10002-1....
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日期:2025-05-24
電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容(接到輸出端的汲極區域)及其他寄生電容與 ... = Cgs + Cgb + Cgd 影響電路工作速度的閘極電容 雖然MOS在不同工作模式,不同偏壓下,整個電容效應值就會有差異;然而閘極電容Cg卻近似於「閘--氧化層 ......
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日期:2025-05-28
電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容(接到輸出端的汲極區域)及其他寄生電容 ... 雖然MOS在不同工作模式,不同偏壓下,整個電容效應值就會有差異;然而閘極 ......
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日期:2025-05-29
依工作原理可粗分為雙極(載體)接面電晶體(bipolar junction transistor,. BJT)和場
效電晶體(field effect transistor, FET)。 BJT. 利用兩個很接近的pn接面,電訊號控制
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日期:2025-05-23
金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同,可分為电子占多数 ......
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日期:2025-05-27
MOS結構的電容- 電壓曲線之量測與應用 論文名稱(外文): Capacitance-Voltage Curve of MOS Structure: Measurement and Application ... 另外,我們搭配生命週期的量測,計算表面再結合速率,與C-V所得到表面再結合速率作比較,可以用來判斷表面鈍化的基礎 ......