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![電容 - 維基百科，自由的百科全書]()
zh.wikipedia.org在 電路學 裏，給定 電勢差 ， 電容器 儲存 電荷 的能力，稱為 電容 （ capacitance ），標記為 C 。採用 國際單位制 ，電容的單位是 法拉 （ farad ），標記為 F 。 平行板電容器 是一種簡單的電容器，是由互相平行、以空間或 介電質 隔離的兩片薄板 導體 ...瀏覽：897 -
![防电磁干扰的重要措施----滤波技术]()
download.21dianyuan.com防电磁干扰的重要措施----滤波技术. 防电磁干扰主要有三项措施，即屏蔽、滤波和接地。往往单纯采用屏蔽不能提供完整的电磁干扰防护，因为设备或系统上的电缆是 ...瀏覽：340
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日期：2025-04-27
電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容（接到輸出端的汲極區域）及其他寄生電容與 ... = Cgs ＋ Cgb ＋ Cgd 影響電路工作速度的閘極電容 雖然MOS在不同工作模式，不同偏壓下，整個電容效應值就會有差異；然而閘極電容Cg卻近似於「閘--氧化層 ......
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日期：2025-04-27
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日期：2025-04-30
详细介绍了沟槽MOSFET 结构的基本结构，进而确定了寄生. 元件，定义了相关术语 ... BHFFOM(1)，它假设主要开关损耗与输入电容（Ciss）充/. 放电有关。第三种方法 ......
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日期：2025-04-30
其實這個壽命計算公式啊,每家的都不一樣,並且像NCC,Nichicon他們針對他們自己不同的系列有不同的計算公式,相同的條件用每家的公式算出來的結果可能有很大差異,所以,stress測試才是最好的評估...
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日期：2025-04-27
固態電容(POLYMER)&電解電容器(E-CAP)壽命計算 0 收藏 0 推薦 TEL:02-22592022/02-22580760 FXA:02-22529070 E-MAIL:huimei@smtw.com.tw; light51@ms76.hinet ......
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日期：2025-04-28
依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,. BJT）和場
效電晶體（field effect transistor, FET）。 BJT. 利用兩個很接近的pn接面，電訊號控制
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日期：2025-04-27
多，MOSFET的開關延遲特性完全是因為寄生電容的充放電。 由於器件在開關 ... MOSFET內部寄生的二極管使其在電感負載開關應用中，不需要增加. 額外的成本就能 ......
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日期：2025-05-04
MOS結構的電容- 電壓曲線之量測與應用 論文名稱(外文): Capacitance-Voltage Curve of MOS Structure: Measurement and Application ... 另外，我們搭配生命週期的量測，計算表面再結合速率，與C-V所得到表面再結合速率作比較，可以用來判斷表面鈍化的基礎 ......
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