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![金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書]()
zh.wikipedia.org金屬氧化物半導體場效電晶體 （簡稱： 金氧半場效電晶體 ； 英語 ： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， 縮寫 ： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...瀏覽：609 -
![寄生電容 - 維基百科，自由的百科全書]()
zh.wikipedia.org寄生電容 （ 英語 ： parasitic capacitance ）也稱為 雜散電容 ，是 電路 中 電子元件 之間或電路模塊之間，由於相互靠近，形成的不可避免，同時經常是人們設計時不 ...瀏覽：488
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瀏覽：1473
日期：2025-12-03
14 電容器的寄生作用與雜散電容 電容器的寄生作用 問：我想知道如何為具體的應用選擇合適的電容器，但我又不清楚許多不同種類 的電容器有哪些優點和缺點? 答 ......
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日期：2025-12-02
實際上,由於頻率的不斷提高,致使引線寄生電感、寄生電容的影響愈加嚴重,對器件造成更大的電應力(表現為過電壓、過電流毛刺)。為了提高系統的可靠性,有些 ......
瀏覽：1264
日期：2025-12-06
... ，但由於布線構之間總是有互容，互感就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容。寄生電容 ......
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日期：2025-11-30
寄生電容. 標籤： 電子元件電容器布線. 目錄. 1. 英文對照 2. 寄生含義 3. ... 寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由於布線構之間總是有互容，互感就好像是 ......
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日期：2025-12-06
電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容（接到輸出端的汲極區域）及其他寄生電容與 ... = Cgs ＋ Cgb ＋ Cgd 影響電路工作速度的閘極電容 雖然MOS在不同工作模式，不同偏壓下，整個電容效應值就會有差異；然而閘極電容Cg卻近似於「閘--氧化層 ......
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日期：2025-12-04
MOS管的三個管腳之間有寄生電容 存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹 ......
瀏覽：1408
日期：2025-12-04
電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容（接到輸出端的汲極區域）及其他寄生電容 ... 雖然MOS在不同工作模式，不同偏壓下，整個電容效應值就會有差異；然而閘極 ......
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