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  電容 - 維基百科，自由的百科全書
  
  在電路學裏，給定電勢差，電容器儲存電荷的能力，稱為電容（ capacitance ），標記為 C 。採用國際單位制，電容的單位是法拉（ farad ），標記為 F 。平行板電容器是一種簡單的電容器，是由互相平行、以空間或介電質隔離的兩片薄板導體 ...
  
  2025-05-04
  
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  金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書
  
  金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，縮寫： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...
  
  2025-05-05
  
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VLSI概論 Introduction to VLSI

日期：2025-05-03

電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容（接到輸出端的汲極區域）及其他寄生電容與 ... = Cgs ＋ Cgb ＋ Cgd 影響電路工作速度的閘極電容雖然MOS在不同工作模式，不同偏壓下，整個電容效應值就會有差異；然而閘極電容Cg卻近似於「閘--氧化層 ......

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四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性的描述 ...

日期：2025-04-28

電晶體(transistor)是近代電子電路的核心元件，他的主要功能是做電流的開. 關，就如同控制 ... 依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,....

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關於MOSFET當開關使用- Yahoo!奇摩知識+

日期：2025-04-29

MOSFET當開關時，若是NMOS，只要G接正電壓，S接地就 .... 開官一端浮接那通不通有啥影響呀天才一ㄍ....

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MOS 的Surface potential 之探討 - My University: Home

日期：2025-05-04

的心臟是一個稱為MOS 電容的金屬－氧化物－半導體結構。當在 MOS 電容上外加一個電壓時，在半導體之中接近氧化物－半導體界 ... 2-1表面電位概說及計算.....22 2-2 臨限電壓的求得.....24 2-3表面電位相關推導 ......

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MOSFET的操作原理

日期：2025-04-29

MOSFET的操作原理 p n+ ... MOSFET應該是人類使用最多的電晶體種類，. 特別是在電腦 ... 結構類似電容，閘極的金屬導體會堆積一些正電荷，而在氧化物絕. 緣層另 ......

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MOSFETꪺ뻞Ꝁ귬뉺 - ::: 歡迎光臨中興大學物理系，請選擇你所要前往的網站 :::

日期：2025-04-28

MOS 떲멣 륱깥C oxꅇ 결 MOS떲멣 뻉엩뭐껱 뱨뚡 궱 뻉륱룼엩ꅃ궫굮냑볆결껱 뱨 t ox ꅁ 륱 볆e ox ꅃ MOS ꑯꅇ 걁L(덱륄 륨랥 )ꅁ W(덱륄뱥 )ꅃ덯귓 덱륄꿠걹덱 륱걹 쏶ꅁꑝ MOS륱깥귈 쏶ꅃ 늾냊륱걹ꅇ 뚷 륄 신뱨룼엩 녋 ꅁ륱돵 냊뉶 ......

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把MOS當電容使用問題(頁 1) - Analog/RF IC 設計 - Analog/RF IC 資料共享 - 中國電子頂級開髮網論壇(EETOP) 國內頂級電子 ...

日期：2025-05-04

中國電子頂級開髮網論壇(EETOP) eetop 是一個綜合性的電子設計論壇、工程師blog、電子資料免費分享平台 - Discuz! Archiver ... kuan 發表於 2006-11-2 18:57 把MOS當電容使用問題請問一下有沒有人把MOS當作電容使用(操作在accumulation mode下)...

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請問0.35製程用mos作電容要如何畫layout？(頁 1) - Layout設計討論區 - Chip123創新論壇創新研發社群 - Powered by Discuz ...

日期：2025-05-04

mos的g端當電容的in ， mos的s、b、d當電容的out， M5? F x E$b4P"[ l S 作pex也量不到in、out的電容。而且NMOS的body會自動定義為gnd!，好像不能浮接或是接mos的s、d， pex出現的訊息為: mm1 out in out gnd! nch W=2u L=350n ......

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