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![MOSFET問題 - Yahoo!奇摩知識+]()
tw.knowledge.yahoo.com當一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導體的電荷分佈也會跟著改變。考慮一個p-type 的半導體（電洞濃度為N A ）形成的MOS電容，當一個正的電壓V GB 施加在閘極與基極端（如圖）時，電洞的濃度會減少，電子的濃度會增加。當 ...瀏覽：589 -
![電容 - DemolabWiKi]()
forum.phy.ntnu.edu.tw當電容之間給予交流電壓時 會產生和頻率相關的阻抗稱為容抗, , 會使的電容上電流變化和電壓變化之間有90度相角差(電流超前電壓), 於是在交流電路上可以產生濾波等功能. (其中 , 其實就是虛數 i,只是 交流電路中 經常用 i 表示電流,因此改用 j 表示虛數 ...瀏覽：525
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![[巴巴節限定20組] 青森縣產100 希望の雫蘋果汁 3瓶入](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/article/51112/1408433613849_s.jpg)
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日期：2025-04-30
塑膠電容,super cap,電容,超級電容,電池,音效ic,SMD,FUSE 管理體系認證: 員工人數: 0 研發部門人數: 0 廠房面積: 月 產 量: 主要品牌: 年營業額: 0 品質控制: 年進口額: 0 主要市場: 年出口額: 0 企業網址: http://www.pactw.com.tw http://www.hiyp.com.tw/com ......
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日期：2025-05-01
當一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導體的電荷分佈也會跟着改變。考慮一個p
型的半導體（電洞濃度為NA）形成的MOS電容，當一個正的電壓VGB施加在閘極與 ......
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日期：2025-04-28
kuan 发表于2006-11-2 18:57. 把MOS當電容使用問題. 請問一下有沒有人把MOS當
作電容使用(操作在accumulation mode下) 電容值該如何simulation 如何套用 ......
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日期：2025-05-02
deg326 發表於2008-10-29 10:03 AM. 有記對的話，將mos的s、b、d這三腳接一起
當電容的一端， ~ r v;m p _,M 而電容的另一端則用g腳。 r T8{ U i...
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日期：2025-05-02
崩潰. MOSFET中的電容 ... 當υDS. 愈大時（在飽和區），靠近汲極的空乏區愈寬，有
通道電子的通. 道部分長度愈短， .... 當MOSFET在triode區，通道電子均. 勻分佈，閘
......
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日期：2025-05-02
論文名稱：＿＿＿RC 佈局與交換式電容電路之研發與設計＿＿＿. □同意□不同意(
政府 ...... 圖2.17 為當MOS 電容用來做可變電容時的實體層佈局. (Layout) [18]。...
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日期：2025-04-30
MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在
多數情況下， ... 當MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時發生的情況。...
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日期：2025-04-30
本論文透過簡單的製程，製作MOS結構，過程包括標準晶圓清洗，高溫氧化爐管生成
... 針對不同摻雜種類的矽基板，改變不同氧化層厚度，分析電容-電壓曲線的影響， ......
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