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MOSFET的2nd order effect
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日期：2025-12-05
崩潰. MOSFET中的電容 ... 當υDS. 愈大時（在飽和區），靠近汲極的空乏區愈寬，有
通道電子的通. 道部分長度愈短， .... 當MOSFET在triode區，通道電子均. 勻分佈，閘
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