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Chapter 10 化學氣相沉積與介電質薄膜
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日期：2024-04-30
9 CVD應用 薄膜 源材料 Si (多晶) SiH 4 (矽烷) 半導體 SiCl 2H 2 (二氯矽烷；DCS) Si (磊晶) SiCl 3H (三氯矽烷；TCS) SiCl 4 (四氯矽烷；Siltet) LPCVD SiH 4, O 2 SiO 2 (玻璃) PECVD SiH 4, N O 介電質 PECVD Si(OC 2H 5) 4 (四乙氧基矽 ......看更多
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