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EJS IFDS 02F DDR SDRAM 邏輯設計及調試經驗總結

EJS IFDS 02F DDR SDRAM 邏輯設計及調試經驗總結

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日期：2025-06-10
DDR_DQ 圖10、DCM CLK相位落後DQS示意圖 c) 4’b0000（即DCM輸出時鍾的上升沿及下降沿均採到0），即在DDR Device 處於空閒狀態 時，DQS將保持低電平（FPGA內部DQS管腳必須加PULLDOWN），此種狀態可以過濾，即非4’b0101或4’b1010，則丟棄該 ......看更多

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