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SiC的產業應用 - NanoClub
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日期:2024-04-21
由於碳化矽具有較高的飽和電子速度以及高臨界擊穿場強,是良好的微波和高頻元件材料。已製成fmax達 42G Hz以上的SiC MESFET。加之高工作溫度和高熱導率, ......看更多