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日期:2024-03-27
碳化矽(silicon carbide)優異物理化學特性 與應用範圍 在耐熱、耐高溫結構材料中,一般氧化物陶瓷(ex. 氧化鋁 Alumina oxide)及金屬材料沒辦法處於此種條件使用,但在非氧化物陶瓷中確可以辦得到,像是Si3N4氮化矽(silicon nitride)和SiC碳化矽(silicon carbide)在於 ......
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日期:2024-03-22
Bewise Inc. www.tool-tool.com Reference source from the internet. 碳化矽(silicon carbide)優異物理化學特性與應用範圍 在耐熱、耐高溫結構材料中,一般氧化物陶瓷(ex....
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日期:2024-03-27
SiC/Si 的製作 碳化矽 / 矽結構生長最主要生長方法為化學氣相沈積 (C hemial Vapor Deposition,CVD) 為主,但開發出來的大都為 非晶、多晶 α-SiC 薄膜或者 3C-SiC 薄膜為主;另有分子束磊晶 ......
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日期:2024-03-22
由於,碳化矽之晶體特性 ,碳化矽晶體可藉由 碳化矽晶體成長溫度的控制,得到不同晶態之碳化 矽晶體。而圖1 顯示為不同之碳化矽晶態,如立方 晶態、六方晶態及正交晶態之碳化矽結晶結構 ......
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日期:2024-03-21
作多晶態之碳化矽晶體,並配合碳化矽之平衡相圖,從事碳化矽晶體成長溫. 度與多
晶態間之晶體 ... 未來將可使白光LED 之價格,更可為普羅大眾所. 接受。除此之外,
......
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日期:2024-03-22
碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的α-SiC和立方体的β-SiC(称立方碳化 ..... 了光伏
行业有史以来最大幅度的调整,直接导致了碳化硅精细微粉的价格和需求量下调。...
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日期:2024-03-21
由於碳化矽具有較高的飽和電子速度以及高臨界擊穿場強,是良好的微波和高頻元件材料。已製成fmax達 42G Hz以上的SiC MESFET。加之高工作溫度和高熱導率, ......
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日期:2024-03-27
62 科學發展 20 13 年 月 48 期 郭世文 堝、耐火材料及熱交換器、發熱體、研磨 材上都已有廣泛的應用。由於 ......