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  半導體乾式蝕刻製程內容與目的為何? - Yahoo!奇摩知識+
  
  半導體乾式蝕刻製程內容與目的為何?1.是要怎樣去進行這一道製程?2.原理或是運用方法?3.其目的為何?4.或是需要注意的地方!! ... 9-3 乾蝕刻(Dry Etching) 乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(Plasma Etching)，由於蝕刻作用的不同，電漿中離子的物理性轟擊 ...
  
  2025-05-02
  
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  Chapter 9 蝕刻 - 義守大學 I-Shou University
  
  17 蝕刻均勻性 ‧蝕刻均勻性是測量製程的重複性，包括晶圓內(Within-wafer ,WIW) 及晶圓間(Wafer-to-wafer, WTW)的均勻性 • 測量晶圓上特定點在蝕刻製程前後的厚度 • 測量位置點愈多，準確度愈高 • 通常採用標準偏差(Standard deviation, σ)
  
  2025-04-30
  
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乾蝕刻製程技術

日期：2025-04-25

反應式離子乾蝕刻機台: ULVC 3000 乾蝕刻機 Gas system: SF6, CF4 製程: ‧ Silicon oxide etch ‧ Silicon nitride etch ‧ Polymer discumm...

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關於半導體蝕刻製程的問題 - Yahoo!奇摩知識+

日期：2025-04-28

最近我們上課的時候，有教到有關於半導體製程的蝕刻製程我知道蝕刻製程又可以分為濕蝕刻和乾蝕刻但我想要對於這二個製程再多了解一點來做蝕刻製程的報告所以希望各位大大可以給我有關於濕蝕刻和乾蝕刻的技術介紹，特徵介紹，應用介紹 ......

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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 增加單晶圓濕式蝕刻製程的用途 - Semicondutor Magazine

日期：2025-04-29

Ricardo Fuentes, MATECH, Poughkeepsie, New York, United States 儘管乾蝕刻製程在部分的製程中已取得重要的地位，在半導體元件製程以及許多其他相關的技術中，例如微機電系統及光伏元件製造，濕蝕刻仍然是一個主要的技術。濕蝕刻製程常用於半導體的 ......

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蝕刻 - 維基百科，自由的百科全書

日期：2025-04-28

到了近代，現在的蝕刻應用在半導體的製程上，透過黃光製成來定義出想要的圖形，利用蝕刻來得到。半導體的蝕刻可分為乾式蝕刻與溼式蝕刻。乾式蝕刻:透過電漿的解離，形成離子與物質表面進行化學反應，或是物理轟擊，屬於非等向性的蝕刻 ......

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蝕刻方法 - 電腦教室教學用網站

日期：2025-04-28

蝕刻製程可分為溼式和乾式蝕刻兩類。溼式蝕刻又稱化學蝕刻，主要是以化學溶液化學來進行反應以達到蝕刻的效果﹔乾式蝕刻則以鈍態或反應性氣體來進行蝕刻，其間夾雜化學反應與物理方式的離子撞擊效果。...

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Recipe 使用說明本機台採multi-step（Break Through, Main Etch, Over Etch） BT：10 秒可蝕刻350-400A ME：2000~2300A/min, Selectivity to oxide: 9:1 OE：1400~1500A/min, Selectivity to oxide: 47:1 標準製程 602：BT 10sec + ME (endpoint mode) + OE 20sec...

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