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日期:2024-06-01
互補式金屬氧化物半導體(英語:Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS,簡稱互補式金氧半)是一種積體電路製程,可在矽晶圓上製作出PMOS(P-channel MOSFET)和NMOS(N-channel MOSFET)元件,由於PMOS與NMOS在特性上為互補性 ......
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日期:2024-05-27
1 Reference Solid State Technology Semiconductor International 電子月刊 電子資訊 J. of Applied Physics J. of the ......
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日期:2024-05-28
到底什麽是創意呢?為什麽要強調創意呢?簡單的說,創意就是:你可以看到人家看不到的,在這件事物上面,把它做的更好,更快,或是更便宜--這不是各位正在做的論文嗎(如果你不是文抄公的話)?具體的說,它就是一種智慧財產.不管是有形的一顆芯片,一段程序 ......
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日期:2024-05-28
翁經華 / 台灣應用材料 當半導體晶片尺寸邁入奈米世代,半導體廠商對於製造過程中晶圓表面潔淨度的維持與掌控也日益重視,不但大幅增加所需的晶圓清洗製程步驟外,對清洗製程完成後的要求也更為嚴格,務必要達到零微粒、零金屬雜質以及零 ......
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日期:2024-05-30
3>縮小矽互補式金屬氧化層半導體(silicon Metal-Oxide-Semiconductor,silicon CMOS)節點越來越困難。然而,III-V族及鍺(Ge)材料的金屬氧化層半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)能提升n型(n-type)及p型(p-type...
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日期:2024-05-28
根據新修訂ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)技術藍圖,清楚地指出目前半導體製程技術,已經從早期微米以上製程不斷地微縮,經過0.1微米以下,進入到「奈米」世代... 根據新修訂ITRS(International Technology Roadmap for...
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日期:2024-05-27
MOS元件原理及參數介紹 MOS製程可以分成以下三種:pMOS、nMOS和CMOS。 (一) pMOS在MOS製程技術中是最簡單,所以被應用的最早。其是利用電洞來導電,所以速度會變得較慢。 (二) nMOS則是利用電子來做傳導的工作,因為電子的漂移速度約為電洞的 ......
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日期:2024-05-25
摩爾定律預測,2015年16奈米的電晶體將邁入量產,然而16奈米目前卻有著難以突破的瓶頸。國家奈米元件實驗室研發的創新技術,讓整個微影製程縮減為只需一個步驟就可以完成,而且不需光罩、光阻,可大幅省下製程成本。...