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![氧化鋅- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia]()
zh.m.wikipedia.org氧化鋅是一種寬頻隙半導體材料，室溫下帶隙約3.3eV，激子束縛能高達60meV， 有望取代GaN成為做紫外光LD和LED的 ...瀏覽：1130 -
![以3d過渡金屬摻雜氧化物之稀磁性半導體研究]()
psroc.phys.ntu.edu.twZnO是具有直接能隙的半導體（Eg=3.35eV），其室溫下的霍爾移動率(Hall mobility) 約為200 cm2V-1s-1。結構是屬於六方晶 ...瀏覽：459
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日期：2024-04-24
氧化鋅(ZnO)是目前已知的II-VI族半導體材料中在室溫中擁有寬能隙(3.37 eV)和相當
大的激子束縛能(60 meV)，在做為應用 ......
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日期：2024-04-27
遠東學報第二十八卷第三期中華民國一百年九月出版. 279. 溶膠凝膠法製備ZnO-
RuO2 透明半導體薄膜之特性研究....
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日期：2024-04-28
氧化鋅半導體主要則是摻雜N，除此之外，若是將添加物加入氧化鋅使. 具有半導性，
則當吸收氫或碳化氫等電子供應性分子 ......
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日期：2024-04-26
... 上，合成出高均向性一維氧化. 鋅奈米柱陣列，接著利用半導體相關製程技術完成
發光二極體(LED)元 ... 液濃度、晶種、基材等為反應參數，合成出高品質之一維氧化
鋅奈米柱. 陣列，用以探討氧化鋅奈米柱之 ......
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日期：2024-04-23
因此研究中更進一步研究改進氧化鋅材料各種半導體特性，包含低缺陷n 型與p 型
半導體. 材料的成長，這些研究有助於氧化 ......
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日期：2024-04-22
其中，半導體材料中的氧化鋅由. 於具備極佳的光學及電學性質，搖身一變成為近. 來
最為炙手可熱的材料之一。 氧化鋅(ZnO) ......
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日期：2024-04-24
摻雜製備磁性與半導體的光電性質良好共存的. 材料，並探討摻雜Mn 與熱處理條件
對ZnO 薄. 膜之組成、晶體結構、導電 ......
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