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日期:2024-04-17
依工作原理可粗分為雙極(載體)接面電晶體(bipolar junction transistor,. BJT)和場
效電晶體(field effect transistor, FET)。 BJT. 利用兩個很接近的pn接面,電訊號控制
......
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日期:2024-04-18
p型基板本體. 導電電子. C n+源極. 導電電子通道. (反轉層). 電. 場 .... 接在不同電位時,即有V. SB. 時,臨界電壓受到影. 響。此效應稱做body effect,或基板電壓效應。...
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日期:2024-04-24
半導體場效電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(MOSFET),並且探討其臨界電壓與摻雜
濃度之間的關係是. 否依舊能 .... 我們將嘗試著分析以上兩個臨界電壓公式,試圖找....
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日期:2024-04-19
... 基極的極性,而在PMOS的閘極端多加一個圓圈以示區別。 幾種常見的MOSFET
電路符號,加上接面場效電晶體一起比較: ......
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日期:2024-04-18
由於先進邏輯電路不斷的增加多重臨界調整電壓(multiple threshold adjust voltages
,VT)電晶體的使用,以及傳統二氧化矽 ......
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日期:2024-04-24
由於先進邏輯電路不斷的增加多重臨界調整電壓(multiple threshold adjust voltages
,VT)電晶體的使用,以及傳統二氧化矽 ......
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日期:2024-04-21
本論文提出一個動態電壓調整系統(Dynamic Voltage Scaling),我們藉由動態的
調整數位電路上的工作電壓來克服當數位 ......
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日期:2024-04-17
本論文提出一個動態電壓調整系統(Dynamic Voltage Scaling),我們藉由動態的
調整數位電路上的工作電壓來克服當數位 ......