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日期:2025-11-20
定義:若因施加至 電晶體的電壓、電流產生 功率損耗,因而造成元件發熱時,接合面(junction)溫度:Tj到達絕對最大額定值所規定的溫度(Tj = 150 C)時的 ......
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日期:2025-11-23
V.其他說明 在其他地方可以找到許多關於 電晶體的說明、 計算以及應用範例, 電晶體 ......
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日期:2025-11-23
首頁 致冷晶片篇 再生能源篇 訂購手續 電子信箱留言 MOS場效 功率電晶體(Mosfet Power Transister) (A)介紹MOS場效 ......
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日期:2025-11-21
定義:若因施加至電晶體的電壓、電流產生功率損耗,因而造成元件發熱時,接合面(junction) ... 計算方法:將施加Px的電力時所造成的溫度上升作為△ Tx,由此可得 ......
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日期:2025-11-25
2013年6月14日 - 在其他地方可以找到許多關於電晶體的說明、計算以及應用範例,. 電晶體 ... 相對的大包裝的電晶體功率相較於小包裝的來說,都會大很多. 常見的 ......
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日期:2025-11-19
電晶體有幾個不同的種類,雙極性接面電晶體為其中最基礎的一種。 電晶體的功能 .... 通常電晶體的IB 比IC 小很多,在計算功率時只考慮IC 的影響,電晶體的功率消耗....
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日期:2025-11-21
電流增益AI = ;電壓增益Av =功率增益Ap==電壓增益Av ×電流增益AI. 電晶體分為:. NPN 型式 PNP型式 ... 四、電晶體放大器基本特性. 電晶體放大器共分為共射極放大器簡稱CE; 共集極放大器簡稱CC;共基極放大器簡稱CB .... 三、簡單計算題. 1....
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日期:2025-11-21
BJT(雙極接面電晶體) 由三個摻入雜質的半導體區域組 .... 0.7V。基極、集極和射極電流可以. 計算如下:. – IC = βDCIB = (150)(430μA) = 64.5 .... 如果最大功率額定值....










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