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![Chapter 7 電漿的基礎原理 - 義守大學 I-Shou University]()
www.isu.edu.tw電漿的基礎原理 2 目標 • 列出至少三種用到電漿的半導體製程 • 列出電漿中的主要三種碰撞 • 說明平均自由路徑 • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程 • 列出兩 ...瀏覽：1319 -
![Plasma Equipments 各式專業電漿設備]()
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日期：2024-04-19
2. 目標. • 列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ......
瀏覽：457
日期：2024-04-16
2-2 大氣電漿設備原理[2] 氧氣經由電漿解離，會產生大量的自由基粒子(如下式)，這些自由基粒子會與碳氫化合物及表面的氧化物起反應，尤其其中的氧自由基容易與油性物質或與低分子有機物產生揮發性的產物，輕易的被鈍性氣體帶走。如 ......
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日期：2024-04-21
基本原理： 當等離子氣體與被處理物表面相遇時，產生了化學作用和物理變化。表面得到了清潔，去除了碳化氫類汙物，如油脂、輔助擠壓劑等，根據材料成分，其表面分子鏈結構得到了改變。建立了羥基、羧基等自由基團，這些基團對各種塗敷材料 ......
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日期：2024-04-22
在實際操作上為了提高清潔效果必需提高電漿系統的壓力。 圖2-2：大氣電漿示意 2-2 大氣電漿設備原理[2] 氧氣經由電漿解離，會產生大量的自由基粒子(如下式)，這些 ......
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日期：2024-04-20
微波電漿清洗機 介紹： 1.封測應用上為在封裝打線前由AR電漿清洗基材與晶片上鋁銲墊端點。膠合前藉由O2電漿活化基材上綠漆表面，以與 COMPOUND間有更強接著強度。 2.太陽能基板應用，為在元件擴散製程後P-N接合界面，利用 CF4電漿進行蝕刻處理，以 ......
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日期：2024-04-19
壹. 基本原理. 經Enercon電漿清洗機(Plasma)高壓放電所產生電離子氣體，藉由空氣
壓縮機將氣體. 噴出電離子氣體(電漿)，當離子氣體接觸工件表面時，產生化學作用 ......
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日期：2024-04-20
2012年4月10日 ... 電漿清洗時腔體為何需抽離到真空狀態?為何需加入製程氣體?而電漿清洗時的原理
?...
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日期：2024-04-20
微波電漿清洗機. 介紹：. 1.封測應用上為在封裝打線前由AR電漿清洗基材與晶片上鋁銲墊端點。膠合前藉由O2電漿活化基材上綠漆表面，以與COMPOUND間有更強 ......
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