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日期:2024-04-24
氧化物電阻式記憶體是一種利用電壓來改變氧化物電阻的新興非揮發性記憶體技術,其主要的特點在於元件結構簡單。工研院目前所開發的HfOx電阻式記憶體,其特性不但突破過去此記憶體開發的瓶頸,也展示出取代快閃記憶體的可能性。...
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日期:2024-04-29
一、電阻式記憶體的發展說明 電阻式記憶體(resistive random access memories;RRAM)近年來引起許多學校及業界廣泛的研究,主要是因為電阻式記憶體的主要結構相當簡單,和一般電容器結構極為相似,目前主要均是採用MIM結構(metal-insulator-metal),此結構 ......
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日期:2024-04-26
電阻式記憶體(RRAM)結合了快閃記憶體的非揮發性、靜態存取記憶體的快速存取、動態存取記憶體的高密度,配合低耗能、低成本、構造簡單、保存資料能力佳的優勢,使其在非 ......
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日期:2024-04-22
技術名稱(中文):車銑複合銑削主軸技術. 技術名稱(英文):Multi-Tasking Turn-Mill Spindle. 技術簡介. 零組件加工的製程往往同時包含了車、銑等不同的加工製程,或者 ......
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日期:2024-04-26
美國密蘇里大學(Missouri University)的科技研究人員指出,超晶格(superlattice)可望成為讓電阻式記憶體(resistive random access memories,RRAM)技術邁向商業化的關鍵;透過利用磁鐵與鋅鐵氧磁體(zinc ferrite)的晶格,研究人員表示已製造出了兩...
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日期:2024-04-23
電子工程專輯提供相關RRAM技術文章及相關RRAM新聞趨勢,及更新最新相關RRAM電子產品技術. ... 2010-01-21 超晶格可望催生更快、更小、更省電的RRAM 美國密蘇里大學(Missouri University)的科技研究人員指出,超晶格(superlattice)可望成為讓電阻式記憶體 ......
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日期:2024-04-23
因此本驗室將對 ZnO 薄膜做為電阻式記憶體 RRAM 的最佳製程開發及低功率、低電壓、低成本、高交換速度、高電阻比值、高 switching cycle、單 / 雙極 RRAM 機制研究等基本特性研究。 高介電常數材料元件開發分析 ......
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日期:2024-04-25
首段預覽 一、電阻式記憶體的發展說明 近年全球學界、業界及研究單位,都針對電阻式記憶體(resistive random access memories;RRAM)投入很多研究,主要是因為RRAM結構簡單,和一般電容器結構極為相似,目前主要採用MIM結構(metal-insulator-metal),此 ......