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  5DE0_半導體製程設備技術 - 五南文化事業機構首頁
  
  半導體製程設備技術 Semiconductor Technology-Process and Equipment 作者楊子明、鍾昌貴、沈志彥、李美儀、吳鴻佑、詹家瑋出版社別五南出版日期 ...
  
  2025-11-19
  
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  CTimes - 剖析電容式MEMS麥克風技術設計: - MEMS,微機電 ...
  
  電容式麥克風電容式麥克風（如圖二所示）由一個導電的薄板與多孔的背板（back plate）形成電容結構，薄板受聲壓作用而變形造成電容值改變，前級的讀取電路 ...
  
  2025-11-16
  
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半導體製程技術概論

日期：2025-11-16

半導體製程技術概論, Introduction to Semiconductor ... 半導體工業的時間週期每個晶片組成數 ... IC Designer Technology Wafer Size Foundry 單月晶圓投片量....

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半導體製程技術

日期：2025-11-16

Introduction to fabricated Integrated Circuits Semiconductor Material and Device Oxidation and Diffusion ......

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半導體製程技術

日期：2025-11-20

Introduction to fabricated Integrated Circuits Semiconductor Material and Device Oxidation and Diffusion ......

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CMOS MEMS 製程平台於微感測器之應用 - 微感測器與致動 ...

日期：2025-11-18

加速度計、溫度感測器、壓力計與觸覺感測器，來完整說明CMOS MEMS 元件設計、 ... The authors have reported the design and implementation of CMOS MEMS ......

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互補式金屬氧化物半導體- 维基百科，自由的百科全书

日期：2025-11-15

互補式金屬氧化物半導體具有只有在電晶體需要切換啟閉時才需耗能的優點， ... 所謂的「金屬-氧化層-半導體」事實上是反映早期場效電晶體的閘極（gate ..... 取自“http://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=互補式金屬氧化物半導體&oldid=30662626”....

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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 先進CMOS電晶體之金屬閘極整合化CMP製程 - Semicondutor Magazine

日期：2025-11-14

10pt 3>因為新材料的引入，使得高介電常數金屬閘極(high-k metal-gate, HKMG)CMOS電晶體的量產製程整合化更形複雜。後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程，兩者對最終閘極高度(gate height)與表面形貌(topography)都需要極度的 ......

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