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![MOS場效功率電晶體(Mosfet Power Transister)]()
www.tande.com.tw首頁 致冷晶片篇 再生能源篇 訂購手續 電子信箱留言 MOS場效 功率電晶體(Mosfet Power Transister) (A)介紹MOS場效 ...瀏覽：820 -
![徹底瞭解！電晶體]()
www.rohm.com.tw定義：若因施加至電晶體的電壓、電流產生功率損耗，因而造成元件發熱時，接合面(junction) ... 計算方法：將施加Px的電力時所造成的溫度上升作為△ Tx，由此可得 ...瀏覽：560
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日期：2024-05-20
MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）金屬氧化半導體場效電晶體... ... * 兩個n+ 分別作為該元件的源極(Source)和汲極(Drain)，分別引出源極(Source)和汲極(Drain) * 夾在n+(n-)區間的P區隔著一層SiO 2 的介質作為閘極(Gate)...
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日期：2024-05-15
金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数 ......
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日期：2024-05-22
依工作原理可粗分為雙極（載體）接面電晶體（bipolar junction transistor,. BJT）和場
效電晶體（field effect transistor, FET）。 BJT. 利用兩個很接近的pn接面，電訊號控制
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日期：2024-05-21
功率 電晶體、功率三極管 Pol：NPN Vcev：330V(Max) BU407 Vcev：400V(Max) BU406 V ce(sat) =1.0V(Max)@Ic=5.0A 產品編號 規格 ......
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日期：2024-05-20
FET的簡介. 表8-1 BJT與FET的特性比較. 3. 8-1. FET的簡介. 表8-2 場效電晶體的電路符號. 4. 8-2. JFET的特性. 圖8-1 n通道場效應電晶體(JFET). 5. 8-2. JFET的特性....
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日期：2024-05-15
徹底瞭解！電晶體-MOSFET應用文件 ... I D-V GS 特性與溫度特性 圖1和2所示為I D-V GS 特性與閥值溫度特性之實測範例。 圖1和2所示為ID-VGS特性與閥值溫度特性之實測範例。...
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日期：2024-05-22
源達科技股份有限公司 台北市 中正區 新生南路一段6 號 B1.13.14 室 (台北國際電子廣場) 電話 : 02-2396-6662 #11.14.15 傳真 : 02-2392-5762 E-MAIL: yd_tech@yahoo.com.tw...
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